ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  DRAM
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  SDRAM - DDR
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  1Gb (64M x 16)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  Parallel
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  166 MHz
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  15ns
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  700 ps
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  2.3V ~ 2.7V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 85°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  66-TSOP II