ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Non-Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  FRAM
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  FRAM (Ferroelectric RAM)
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  4Kb (512 x 8)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  SPI
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  20 MHz
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  -
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  -
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  2.7V ~ 3.6V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 85°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  8-SOIC