ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ໂຄງສ້າງ
  Single
• ຈໍານວນຂອງ scrs, diodes
  1 SCR
• ແຮງດັນ-ປິດສະຖານະ
  3.8 kV
• ປັດຈຸບັນ - ໃນສະຖານະ (ມັນ (av)) (ສູງສຸດ)
  2180 A
• ປະຈຸບັນ - ໃນສະຖານະ (ມັນ (rms)) (ສູງສຸດ)
  4200 A
• ແຮງດັນ - gate trigger (vgt) (max)
  3 V
• ປັດຈຸບັນ - gate trigger (igt) (max)
  300 mA
• ປັດຈຸບັນ - ບໍ່ແມ່ນຕົວແທນ. ແຮງດັນ 50, 60Hz (itsm)
  40000A @ 50Hz
• ປັດຈຸບັນ - ຖື (ih) (ສູງສຸດ)
  300 mA
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 125°C
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Chassis Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  DO-200AE