ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  100 mA
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  30 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  150mV @ 500µA, 10mA
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  10nA
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  80 @ 1mA, 5V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  360 mW
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  -
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -65°C ~ 200°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  4-SMD, No Lead
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  UB