ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  300 mA
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  150 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  400mV @ 15mA, 150mA
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  10µA (ICBO)
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  100 @ 150mA, 10V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  1 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  -
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -65°C ~ 200°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-39 (TO-205AD)