ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ຄວາມຈຸ
  1000 pF
• ຄວາມທົນທານ
  ±15%
• ແຮງດັນ - breakdown
  50 V
• esr (ຄວາມຕ້ານທານຊຸດທຽບເທົ່າ)
  50 mOhms
• esl (ຊຸດ inductance ທຽບເທົ່າ)
  50pH
• ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
  High Stability, Vertical Silicon Cap, Wirebond
• ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ
  High Reliability, Low Profile
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -55°C ~ 150°C
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  Nonstandard Chip
• ຄວາມສູງ
  0.005" (0.12mm)
• ຂະຫນາດ / ຂະຫນາດ
  0.012" L x 0.012" W (0.29mm x 0.29mm)