ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bag
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN - Pre-Biased
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  100 mA
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  50 V
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
  4.7 kOhms
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
  4.7 kOhms
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  80 @ 10mA, 5V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  300mV @ 250µA, 5mA
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  500nA
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  250 MHz
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  300 mW
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-92S