ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ diode
  Silicon Carbide Schottky
• ແຮງດັນ - dc reverse (vr) (ສູງສຸດ)
  1200 V
• ປະຈຸບັນ - ແກ້ໄຂໂດຍສະເລ່ຍ (io)
  61A (DC)
• voltage - forward (vf) (max) @ if
  1.75 V @ 40 A
• ຄວາມໄວ
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
  0 ns
• current - reverse leakage @ vr
  200 µA @ 1200 V
• capacitance @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  Die
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  Die
• ອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານ - junction
  -55°C ~ 175°C