ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Obsolete
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  500 mA
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  45 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  400mV @ 20mA, 200mA
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  50nA
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  300 @ 10mA, 1V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  625 mW
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  250MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-92-3