71V3556SA150BGGI8

71V3556SA150BGGI8

ຜູ້ຜະລິດ

Renesas Electronics America

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

ຄວາມຊົງຈໍາ

ລາຍລະອຽດ

IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tape & Reel (TR)
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
    Volatile
  • ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
    SRAM
  • ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
    SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    4.5Mb (128K x 36)
  • ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    Parallel
  • ຄວາມຖີ່ໂມງ
    150 MHz
  • ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
    -
  • ເວລາເຂົ້າເຖິງ
    3.8 ns
  • ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
    3.135V ~ 3.465V
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    119-BGA
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    119-PBGA (14x22)

71V3556SA150BGGI8 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 6598
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
8.73410
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:8.73410

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ