71V67703S80BGG

71V67703S80BGG

ຜູ້ຜະລິດ

Renesas Electronics America

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

ຄວາມຊົງຈໍາ

ລາຍລະອຽດ

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tray
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
    Volatile
  • ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
    SRAM
  • ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
    SRAM - Synchronous, SDR
  • ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    9Mb (256K x 36)
  • ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    Parallel
  • ຄວາມຖີ່ໂມງ
    100 MHz
  • ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
    -
  • ເວລາເຂົ້າເຖິງ
    8 ns
  • ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
    3.135V ~ 3.465V
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    0°C ~ 70°C (TA)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    119-BGA
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    119-PBGA (14x22)

71V67703S80BGG ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 3227
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
21.71000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:21.71000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ