-
-
ລາຄາຕໍ່າຜ່ານໂຮງງານໂດຍກົງ
ເຮັດວຽກກັບໂຮງງານເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍກົງເພື່ອຕັດຄົນກາງອອກ. ຕົ້ນສະບັບໃຫມ່ທີ່ມີລາຄາຕ່ໍາແລະສ່ວນຫຼຸດ
-
ຄວາມປອດໄພ & ຄຸນນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້
ລະບົບການປະກັນໄພຄຸນນະພາບສໍາລັບຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນທີ່ດີເລີດ. ຕາມເວລາ, ທຸກໆເວລາການສະຫນອງອົງປະກອບທີ່ມີຄຸນນະພາບ.
-
ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ
100+ ຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຊື່ສຽງທົ່ວໂລກ, ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ. ມີຫຼັກຊັບທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຊື້ໂດຍກົງກັບລາຄາສ່ວນຫຼຸດ.
-
ການບໍລິການທີ່ເປັນມິດກັບລູກຄ້າ
ການແກ້ໄຂການຢຸດດຽວສ່ວນບຸກຄົນກັບຄວາມຕ້ອງການເປັນເອກະລັກຂອງທ່ານ. ສະຫນັບສະຫນູນໃນເວັບໄຊທ໌ 12 ພາສາ, ຄວາມສະດວກແລະການບໍລິການໄວ.
BCR112WH6327XTSA1
RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
-
ຊຸດBulk
-
ສະຖານະສ່ວນActive
-
ປະເພດ transistorNPN - Pre-Biased
-
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)100 mA
-
ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)50 V
-
ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)4.7 kOhms
-
ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)4.7 kOhms
-
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20 @ 5mA, 5V
-
vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic300mV @ 500µA, 10mA
-
ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)100nA (ICBO)
-
ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ140 MHz
-
ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ250 mW
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງSurface Mount
-
ຊຸດ / ກໍລະນີSC-70, SOT-323
-
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງPG-SOT323-3
