ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  SRAM
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  SRAM - Asynchronous
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  16Kb (4K x 4)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  Parallel
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  -
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  20ns
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  20 ns
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  4.5V ~ 5.5V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  0°C ~ 70°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  20-DIP (0.300", 7.62mm)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  20-DIP