FS225R17KE3BOSA1

FS225R17KE3BOSA1

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

IGBT MODULE

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Three Phase Inverter
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1700 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    340 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    1400 W
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.45V @ 15V, 225A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    3 mA
  • input capacitance (cies) @ vce
    20.5 nF @ 25 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Standard
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    Yes
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    Module
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    Module

FS225R17KE3BOSA1 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1080
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
456.30000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:456.30000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ