NSBA123JF3T5G

NSBA123JF3T5G

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ດຽວ, pre-biased

ລາຍລະອຽດ

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    PNP - Pre-Biased
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100 mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    50 V
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
    2.2 kOhms
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
    47 kOhms
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    80 @ 5mA, 10V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    500nA
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    -
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    254 mW
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    SOT-1123
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    SOT-1123

NSBA123JF3T5G ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 125944
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.08000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.08000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ