ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  100mA, 3A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  50V, 20V
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
  2.2kOhms
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
  2.2kOhms
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  1µA, 100nA
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  100MHz
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  1.5W
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  8-SO