DTA114ECAT116

DTA114ECAT116

ຜູ້ຜະລິດ

ROHM Semiconductor

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ດຽວ, pre-biased

ລາຍລະອຽດ

TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tape & Reel (TR)
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    PNP - Pre-Biased
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    50 mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    50 V
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
    10 kOhms
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
    10 kOhms
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    30 @ 5mA, 5V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    500nA
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    250 MHz
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    200 mW
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    SST3

DTA114ECAT116 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 102349
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.09864
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.09864

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ