TK17A80W,S4X

TK17A80W,S4X

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - fets, mosfets - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດຕີນ
    N-Channel
  • ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
    800 V
  • ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
    17A (Ta)
  • ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    290mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
    4V @ 850µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    32 nC @ 10 V
  • vgs (ສູງສຸດ)
    ±20V
  • input capacitance (ciss) (max) @ vds
    2050 pF @ 300 V
  • ຄຸນນະສົມບັດ feet
    -
  • ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
    45W (Tc)
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    150°C
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-220SIS
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-220-3 Full Pack

TK17A80W,S4X ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 8333
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
4.02000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:4.02000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ