ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Box
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  Silicon Carbide (SiC)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  1015A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs
  1.73mOhm @ 760A, 15V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  3.6V @ 280mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  15V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  800V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  -
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Chassis Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  Module
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  Module