ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  SRAM
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  SRAM - Asynchronous
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  4Mb (512K x 8)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  Parallel
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  -
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  45ns
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  45 ns
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  2.2V ~ 3.6V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 85°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  32-TSOP II