ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  PSRAM
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  PSRAM (Pseudo SRAM)
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  64Mb (8M x 8)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  HyperBus
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  200 MHz
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  35ns
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  35 ns
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  2.7V ~ 3.6V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 105°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  24-VBGA
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  24-FBGA (6x8)