ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tape & Box (TB)
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  1.5 A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  465 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  400mV @ 250mA, 1A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  -
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  13 @ 500mA, 2V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  1.1 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  4MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -65°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-92