F4200R17N3E4BPSA1

F4200R17N3E4BPSA1

ຜູ້ຜະລິດ

IR (Infineon Technologies)

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

IGBT MOD 1700V 200A 20MW

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tray
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Full Bridge
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1700 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    200 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    20 mW
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.3V @ 15V, 200A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    1 mA
  • input capacitance (cies) @ vce
    18 nF @ 25 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Standard
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    Yes
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    Module
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    Module

F4200R17N3E4BPSA1 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1084
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
257.39000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:257.39000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ