FP100R07N3E4B11BOSA1

FP100R07N3E4B11BOSA1

ຜູ້ຜະລິດ

IR (Infineon Technologies)

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

IGBT MOD 650V 100A 335W

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Three Phase Inverter
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    650 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    335 W
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 100A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    1 mA
  • input capacitance (cies) @ vce
    6.2 nF @ 25 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Standard
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    Yes
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 150°C
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    Module
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    Module

FP100R07N3E4B11BOSA1 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1218
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
150.88500
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:150.88500

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ