FP25R12W2T4PBPSA1

FP25R12W2T4PBPSA1

ຜູ້ຜະລິດ

IR (Infineon Technologies)

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

IGBT MOD 1200V 50A 20MW

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tray
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Three Phase Inverter
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1200 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    50 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    20 mW
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.25V @ 15V, 25A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    1 mA
  • input capacitance (cies) @ vce
    1.45 nF @ 25 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Three Phase Bridge Rectifier
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    Yes
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 150°C
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    Module
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    Module

FP25R12W2T4PBPSA1 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1813
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
53.87000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:53.87000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ