ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  N-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  MOSFET (Metal Oxide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  800 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  3.5V @ 700µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  10.05 nC @ 10 V
• vgs (ສູງສຸດ)
  ±20V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  250 pF @ 500 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  Super Junction
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  32W (Tc)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  PG-TO251-3
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA