ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  N-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  MOSFET (Metal Oxide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  1000 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  1A (Tc)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  15Ohm @ 500mA, 10V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  4.5V @ 50µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  15.5 nC @ 10 V
• vgs (ສູງສຸດ)
  ±20V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  331 pF @ 25 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  -
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  50W (Tc)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-263 (IXTA)
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB