ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Non-Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  FLASH
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  FLASH - NAND (SLC)
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  4G (512M x 8)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  Parallel
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  -
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  25ns
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  25 ns
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  1.7V ~ 1.95V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 85°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  63-VFBGA
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  63-VFBGA (9x11)