ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ການຕັ້ງຄ່າຂັບເຄື່ອນ
  Half-Bridge
• ປະເພດຊ່ອງ
  Independent
• ຈໍາ​ນວນ​ຄົນ​ຂັບ​ລົດ​
  2
• ປະເພດປະຕູ
  N-Channel MOSFET
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  8V ~ 12.6V
• ແຮງດັນຕາມເຫດຜົນ - vil, vih
  -
• ປະຈຸບັນ - ຜົນຜະລິດສູງສຸດ (ແຫຼ່ງ, ຈົມ)
  2A, 2A
• ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
  Inverting, Non-Inverting
• ແຮງດັນສູງ - ສູງສຸດ (bootstrap)
  125 V
• ເວລາຂຶ້ນ/ຕົກ (ພິມ)
  65ns, 65ns
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  8-SOIC-EP