ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  3 A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  100 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  1.2V @ 375mA, 3A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  300µA
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  10 @ 3A, 4V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  2 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  3MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-220-3
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-220AB