ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  2 NPN (Dual)
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  30mA
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  60V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  300mV @ 100µA, 1mA
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  10µA (ICBO)
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  300 @ 1mA, 5V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  350mW
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  -
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -65°C ~ 200°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-78-6 Metal Can
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-78-6