ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bag
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  2 A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  100 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  500mV @ 200mA, 2A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  100nA (ICBO)
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  100 @ 500mA, 2V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  1 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  175MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -55°C ~ 200°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-92