ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bag
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  N-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  MOSFET (Metal Oxide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  100 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  20A
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  5V
• rds on (max) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  2.5V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (ສູງສຸດ)
  ±15V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  Logic Level Gate, 4V Drive
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  105W (Tc)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  175°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-220
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-220-3