ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  2 A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  80 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  600mV @ 100mA, 1A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  100µA (ICBO)
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  25 @ 1A, 2V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  25 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  3MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-225AA, TO-126-3
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-225AA