ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  40 A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  250 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  1.5V @ 2.5A, 20A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  3mA
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  20 @ 10A, 4V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  250 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  8MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -65°C ~ 200°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-204AE
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-3