ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  NPN
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  10 A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  140 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  500mV @ 500mA, 5A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  10µA (ICBO)
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  70 @ 3A, 4V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  100 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  30MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-3P-3, SC-65-3
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-3P