ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  PNP
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  4 A
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  100 V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  600mV @ 100mA, 1A
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  100nA (ICBO)
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  40 @ 200mA, 1V
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  1.5 W
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  40MHz
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -65°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-225AA, TO-126-3
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-225AA