NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

ຜູ້ຜະລິດ

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Last Time Buy
  • ປະເພດ igbt
    Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    650 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    70 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    120 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2V @ 15V, 35A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    300 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    840µJ (on), 280µJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    125 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    72ns/132ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    400V, 35A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    -
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-247-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-247-3

NGTG35N65FL2WG ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 8342
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
4.08000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:4.08000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ