NSBC123EPDXV6T1G

NSBC123EPDXV6T1G

ຜູ້ຜະລິດ

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - arrays, pre-biased

ລາຍລະອຽດ

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tape & Reel (TR)
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Obsolete
  • ປະເພດ transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    50V
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
    2.2kOhms
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
    2.2kOhms
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    8 @ 5mA, 10V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    500nA
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    -
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    500mW
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    SOT-563, SOT-666
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    SOT-563

NSBC123EPDXV6T1G ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 125999
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.08000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.08000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ