ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• ສະຖານະສ່ວນ
  Obsolete
• ປະເພດ transistor
  NPN - Pre-Biased
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  100 mA
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  50 V
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
  10 kOhms
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
  4.7 kOhms
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  20 @ 5mA, 10V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  250mV @ 300µA, 10mA
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  500nA
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  150 MHz
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  300 mW
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  3-SSIP
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  NS-B1