70V7319S133BFI

70V7319S133BFI

ຜູ້ຜະລິດ

Renesas Electronics America

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

ຄວາມຊົງຈໍາ

ລາຍລະອຽດ

IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tray
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
    Volatile
  • ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
    SRAM
  • ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    4.5Mb (256K x 18)
  • ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    Parallel
  • ຄວາມຖີ່ໂມງ
    133 MHz
  • ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
    -
  • ເວລາເຂົ້າເຖິງ
    4.2 ns
  • ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
    3.15V ~ 3.45V
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    208-LFBGA
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    208-CABGA (15x15)

70V7319S133BFI ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1345
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
137.09000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:137.09000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ