-
-
ລາຄາຕໍ່າຜ່ານໂຮງງານໂດຍກົງ
ເຮັດວຽກກັບໂຮງງານເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍກົງເພື່ອຕັດຄົນກາງອອກ. ຕົ້ນສະບັບໃຫມ່ທີ່ມີລາຄາຕ່ໍາແລະສ່ວນຫຼຸດ
-
ຄວາມປອດໄພ & ຄຸນນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້
ລະບົບການປະກັນໄພຄຸນນະພາບສໍາລັບຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນທີ່ດີເລີດ. ຕາມເວລາ, ທຸກໆເວລາການສະຫນອງອົງປະກອບທີ່ມີຄຸນນະພາບ.
-
ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ
100+ ຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຊື່ສຽງທົ່ວໂລກ, ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ. ມີຫຼັກຊັບທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຊື້ໂດຍກົງກັບລາຄາສ່ວນຫຼຸດ.
-
ການບໍລິການທີ່ເປັນມິດກັບລູກຄ້າ
ການແກ້ໄຂການຢຸດດຽວສ່ວນບຸກຄົນກັບຄວາມຕ້ອງການເປັນເອກະລັກຂອງທ່ານ. ສະຫນັບສະຫນູນໃນເວັບໄຊທ໌ 12 ພາສາ, ຄວາມສະດວກແລະການບໍລິການໄວ.
2N5550TF
RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
-
ຊຸດBulk
-
ສະຖານະສ່ວນObsolete
-
ປະເພດ transistorNPN
-
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)600 mA
-
ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)140 V
-
vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic250mV @ 5mA, 50mA
-
ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)100nA (ICBO)
-
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce60 @ 10mA, 5V
-
ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ625 mW
-
ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ300MHz
-
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ150°C (TJ)
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງThrough Hole
-
ຊຸດ / ກໍລະນີTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
-
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງTO-92-3
