ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Non-Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  EEPROM
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  EEPROM
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  2Kb (256 x 8)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  I²C
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  400 kHz
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  5ms
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  900 ns
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  1.7V ~ 5.5V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 85°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  8-WFDFN Exposed Pad
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  8-TDFN (2x3)