ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
  Volatile
• ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
  SRAM
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  SRAM - Synchronous, SDR
• ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  18Mb (512K x 36)
• ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
  Parallel
• ຄວາມຖີ່ໂມງ
  200 MHz
• ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
  -
• ເວລາເຂົ້າເຖິງ
  3 ns
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  3.135V ~ 3.6V
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 85°C (TA)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  100-LQFP
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  100-TQFP (14x20)