CYD02S36V18-200BBXC

CYD02S36V18-200BBXC

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

ຄວາມຊົງຈໍາ

ລາຍລະອຽດ

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tray
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Obsolete
  • ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາ
    Volatile
  • ຮູບແບບຄວາມຊົງຈໍາ
    SRAM
  • ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • ຂະຫນາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    2Mb (64K x 36)
  • ການໂຕ້ຕອບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ
    Parallel
  • ຄວາມຖີ່ໂມງ
    200 MHz
  • ຂຽນ cycle time - ຄໍາ, ຫນ້າ
    -
  • ເວລາເຂົ້າເຖິງ
    3.3 ns
  • ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
    1.7V ~ 1.9V
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    0°C ~ 70°C (TA)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    256-LBGA
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    256-FBGA (17x17)

CYD02S36V18-200BBXC ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1194
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
229.91000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:229.91000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ