ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  P-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  MOSFET (Metal Oxide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  20 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  2.2A (Ta)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs
  150mOhm @ 2.2A, 4.5V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  1.5V @ 250µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  5.2 nC @ 4.5 V
• vgs (ສູງສຸດ)
  ±12V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  369 pF @ 10 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  Schottky Diode (Isolated)
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  960mW (Ta)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  SuperSOT™-6
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6