FF800R12KE3NOSA1

FF800R12KE3NOSA1

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

FF800R12 - INSULATED GATE BIPOLA

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    -
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Single
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1.2 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    1.2 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    3.9 W
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 800A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    5 mA
  • input capacitance (cies) @ vce
    57 nF @ 25 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Standard
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    No
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 125°C
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    Module
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    Module

FF800R12KE3NOSA1 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1052
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
814.61000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:814.61000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ