FGA20S140P

FGA20S140P

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1.4 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    40 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    60 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    272 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    -
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    203.5 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    -
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    -
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    -
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-3P-3, SC-65-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-3PN

FGA20S140P ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 14408
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
1.48000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:1.48000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ