FP7G50US60

FP7G50US60

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

IGBT

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Obsolete
  • ປະເພດ igbt
    -
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Half Bridge
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    600 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    50 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    250 W
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 50A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    250 µA
  • input capacitance (cies) @ vce
    2.92 nF @ 30 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Standard
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    No
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    EPM7
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    EPM7

FP7G50US60 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 2855
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
26.08000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:26.08000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ