FQU12N20TU

FQU12N20TU

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - fets, mosfets - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດຕີນ
    N-Channel
  • ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
    200 V
  • ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
    9A (Tc)
  • ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    280mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
    5V @ 250µA
  • gate charge (qg) (max) @ vgs
    23 nC @ 10 V
  • vgs (ສູງສຸດ)
    ±30V
  • input capacitance (ciss) (max) @ vds
    910 pF @ 25 V
  • ຄຸນນະສົມບັດ feet
    -
  • ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
    2.5W (Ta), 55W (Tc)
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    I-PAK
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQU12N20TU ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 25337
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.41000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.41000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ